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ADR441BRZ
器件3D模型
0.01
ADR441BRZ 数据手册 (19 页)
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ADR441BRZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电流
3.75 mA
容差
±0.04 %
封装
SOIC-8
输入电压(DC)
3.00V ~ 18.0V
输出电压
2.5 V
输出电流
10 mA
供电电流
3.75 mA
通道数
1 Channel
针脚数
8 Position
输入电压(Max)
20 V
输出电压(Max)
2.5 V
输出电压(Min)
2.5 V
输出电流(Max)
10 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
输入电压
3V ~ 18V

ADR441BRZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
温度系数
±3 ppm/℃

ADR441BRZ 数据手册

ADI(亚德诺)
19 页 / 2.24 MByte
ADI(亚德诺)
21 页 / 0.36 MByte
ADI(亚德诺)
4 页 / 0.19 MByte

ADR441 数据手册

ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR441BRZ  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR441系列, 2.5V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR441ARZ  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR441系列, 2.5V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
2.5V,Analog Devices### 电压参考,Analog Devices精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
ADI(亚德诺)
超低噪声, LDO XFET基准电压与电流吸收和源 Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source
ADI(亚德诺)
超低噪声, LDO XFET基准电压与电流吸收和源 Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source
ADI(亚德诺)
超低噪声, LDO XFET基准电压与电流吸收和源 Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source
ADI(亚德诺)
ADI(亚德诺)
ADI(亚德诺)
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