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Datasheet 搜索 > 电压基准芯片 > ADI(亚德诺) > ADR444BRZ-REEL7 Datasheet 文档
ADR444BRZ-REEL7
器件3D模型
4.05
ADR444BRZ-REEL7 数据手册 (19 页)
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ADR444BRZ-REEL7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±0.04 %
封装
SOIC-8
输入电压(DC)
18.0V (max)
输出电压
4.096 V
输出电流
10 mA
供电电流
3.75 mA
通道数
1 Channel
输入电压(Max)
20 V
输出电压(Max)
4.096 V
输出电压(Min)
4.096 V
输出电流(Max)
10 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
精度
±0.04 %
输入电压
4.6V ~ 18V

ADR444BRZ-REEL7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)
温度系数
±3 ppm/℃

ADR444BRZ-REEL7 数据手册

ADI(亚德诺)
19 页 / 0.43 MByte
ADI(亚德诺)
24 页 / 0.37 MByte
ADI(亚德诺)
5 页 / 0.07 MByte

ADR444 数据手册

ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR444ARZ  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR444系列, 4.096V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR444BRZ  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR444系列, 4.096V, NSOIC-8
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADR444ARMZ  电压基准, 超低噪, 系列 - 固定, ADR444系列, 4.096V, MSOP-8
ADI(亚德诺)
超低噪声, LDO XFET基准电压与电流吸收和源 Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source
ADI(亚德诺)
超低噪声, LDO XFET基准电压与电流吸收和源 Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source
ADI(亚德诺)
超低噪声, LDO XFET基准电压与电流吸收和源 Ultralow Noise, LDO XFET Voltage References with Current Sink and Source
ADI(亚德诺)
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