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AOTF10B65M2 数据手册 - Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

制造商:

Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

AOTF10B65M2 数据手册 (6 页)

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AOTF10B65M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

30 W

功耗

30000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

650 V

反向恢复时间

262 ns

额定功率(Max)

30 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30000 mW

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AOTF10B65M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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AOTF10B65M2 符合标准

AOTF10B65M2 数据手册

Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

6 页 / 0.41 MByte

AOTF10B65M2 其他数据使用手册

Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

9 页 / 0.52 MByte

AOTF10B65M2 产品设计图

Alpha & Omega Semiconductor（万代半导体）

1 页 / 0.04 MByte

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