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FDB38N30U
1.766
FDB38N30U 数据手册 (8 页)
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FDB38N30U 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
极性
N-CH
功耗
313 W
漏源极电压(Vds)
300 V
连续漏极电流(Ids)
38A
上升时间
80 ns
输入电容值(Ciss)
3340pF @25V(Vds)
下降时间
62 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
313W (Tc)

FDB38N30U 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.67 mm
宽度
9.65 mm
高度
4.83 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDB38N30U 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.54 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
18 页 / 0.94 MByte

FDB38N30 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 300 V, 0.103 ohm, 10 V, 5 V
Fairchild(飞兆/仙童)
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。
Freescale(飞思卡尔)
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