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Datasheet 搜索 > MOS管 > Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体) > AOTF12N50 Datasheet 文档
AOTF12N50
0.111

AOTF12N50 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
极性
N-CH
功耗
50W (Tc)
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
12A
上升时间
69 ns
输入电容值(Ciss)
1633pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
50 W
下降时间
55.5 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
50W (Tc)

AOTF12N50 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

AOTF12N50 数据手册

Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)
6 页 / 0.44 MByte
Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)
6 页 / 0.43 MByte
Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)
1 页 / 0.04 MByte

AOTF12 数据手册

Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)
600V,12A,N沟道MOSFET
Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)
650V,12A,N沟道MOSFET
Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)
Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)
500V,12A,N沟道MOSFET
Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)
Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)
Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)
Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)
N沟道 600V 12A
Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)
Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)
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