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APT20M45BVR 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-247

描述:

功率MOS V® POWER MOS V®

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

APT20M45BVR 数据手册 (4 页)

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APT20M45BVR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

56A

上升时间

14 ns

输入电容值(Ciss)

4050pF @25V(Vds)

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300000 mW

APT20M45BVR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

APT20M45BVR 符合标准

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