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APT66M60B2
17.607
APT66M60B2 数据手册 (4 页)
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APT66M60B2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
66.0 A
封装
TO-247-3
功耗
1135W (Tc)
输入电容
13.2 nF
栅电荷
330 nC
漏源极电压(Vds)
600 V
连续漏极电流(Ids)
66.0 A
上升时间
85 ns
输入电容值(Ciss)
13190pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
1135 W
下降时间
70 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1135W (Tc)

APT66M60B2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

APT66M60B2 数据手册

Microsemi(美高森美)
4 页 / 0.2 MByte
Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.23 MByte
Microsemi(美高森美)
40 页 / 4.07 MByte

APT66M60 数据手册

Microsemi(美高森美)
N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
Microsemi(美高森美)
N沟道MOSFET N-Channel MOSFET
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
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