￥ 12.377

APT50GN120L2DQ2G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-264-3

描述:

功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APT50GN120L2DQ2G 数据手册 (10 页)

封装尺寸在9 页

APT50GN120L2DQ2G 数据手册 (10 页)

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APT50GN120L2DQ2G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.20 kV

额定电流

134 A

封装

TO-264-3

功耗

543 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

额定功率(Max)

543 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

543000 mW

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APT50GN120L2DQ2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

26.49 mm

宽度

20.5 mm

高度

5.21 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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APT50GN120L2DQ2G 符合标准

APT50GN120L2DQ2G 海关信息

APT50GN120L2DQ2G 数据手册

Microsemi（美高森美）

10 页 / 0.22 MByte

APT50GN120L2DQ2G 产品设计参考手册

Microsemi（美高森美）

12 页 / 1.03 MByte

APT50GN120L2DQ2G 其他数据使用手册

Microsemi（美高森美）

10 页 / 0.17 MByte

APT50GN120L2DQ2G 产品手册

Microsemi（美高森美）

40 页 / 4.07 MByte

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