器件3D模型

￥ 0.331

NTMFD4C20NT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

DFN-8

描述:

30V/18A,30V/27A,双N沟道功率MOSFET

Pictures:

3D模型

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焊盘图

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NTMFD4C20NT1G 数据手册 (13 页)

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NTMFD4C20NT1G 数据手册 (13 页)

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NTMFD4C20NT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

DFN-8

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

8 Position

漏源极电阻

7.3 mΩ

极性

N-CH

功耗

1.97 W

阈值电压

2.1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

12A/18A

输入电容值(Ciss)

970pF @15V(Vds)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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NTMFD4C20NT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTMFD4C20NT1G 符合标准

NTMFD4C20NT1G 概述

NTMFD4C20NT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.23 MByte

NTMFD4C20NT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

13 页 / 0.23 MByte

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