￥ 8.353

APT80GA60LD40 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-264-3

描述:

高速PT IGBT High Speed PT IGBT

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

APT80GA60LD40 数据手册 (9 页)

典型应用电路图在3 页

APT80GA60LD40 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

APT80GA60LD40 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-264-3

功耗

625000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

22 ns

额定功率(Max)

625 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625000 mW

查看数据手册 >

APT80GA60LD40 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

APT80GA60LD40 符合标准

APT80GA60LD40 海关信息

APT80GA60LD40 数据手册

Microsemi（美高森美）

9 页 / 0.09 MByte

APT80GA60LD40 产品设计参考手册

Microsemi（美高森美）

12 页 / 1.03 MByte

APT80GA60LD40 其他数据使用手册

Microsemi（美高森美）

9 页 / 0.24 MByte

APT80GA60 数据手册

APT80GA60LD40 数据手册

Microsemi（美高森美）

高速PT IGBT High Speed PT IGBT

APT80GA60B 数据手册

Microsemi（美高森美）

高速PT IGBT High Speed PT IGBT

APT80GA60LD40 数据手册

Microchip（微芯）

APT80GA60B 数据手册

Microchip（微芯）

APT80GA60S 数据手册

Microsemi（美高森美）

高速PT IGBT High Speed PT IGBT

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号