￥ 29.849

IXFN26N90 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

MOS管

封装:

SOT-227-4

描述:

IXYS SEMICONDUCTOR IXFN26N90 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26 A, 900 V, 300 mohm, 10 V, 5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXFN26N90 数据手册 (4 页)

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IXFN26N90 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

900 V

额定电流

26.0 A

封装

SOT-227-4

针脚数

3 Position

漏源极电阻

300 mΩ

极性

N-Channel

功耗

600 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

900 V

连续漏极电流(Ids)

26.0 A

上升时间

35 ns

隔离电压

2.50 kV

输入电容值(Ciss)

10800pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

600 W

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

600W (Tc)

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IXFN26N90 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tube

重量

44.0 g

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

IXFN26N90 符合标准

IXFN26N90 数据手册

IXYS Semiconductor

4 页 / 0.14 MByte

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