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APTGF50H60T1G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SP-1

描述:

全 - 桥NPT IGBT功率模块 Full - Bridge NPT IGBT Power Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APTGF50H60T1G 数据手册 (1 页)

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APTGF50H60T1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

12 Pin

封装

SP-1

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

2.2nF @25V

额定功率(Max)

250 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

250000 mW

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APTGF50H60T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Bulk

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APTGF50H60T1G 数据手册

Microsemi（美高森美）

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APTGF50H60T1G 产品手册

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40 页 / 4.07 MByte

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