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APTGL475U120D4G
111.929
APTGL475U120D4G 数据手册 (6 页)
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APTGL475U120D4G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Chassis
引脚数
4 Pin
封装
D-4
功耗
2082000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
24.6nF @25V
额定功率(Max)
2082 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2082000 mW

APTGL475U120D4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Box
工作温度
-40℃ ~ 175℃ (TJ)

APTGL475U120D4G 数据手册

Microsemi(美高森美)
6 页 / 0.61 MByte
Microsemi(美高森美)
1 页 / 0.13 MByte

APTGL475U120D4 数据手册

Microsemi(美高森美)
单开关沟道+场站IGBT4电源模块 Single switch Trench + Field Stop IGBT4 Power Module
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