￥ 169.872

APTGT600U170D4G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

D-4

描述:

单开关沟道+场站IGBT功率模块 Single switch Trench + Field Stop IGBT Power Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APTGT600U170D4G 数据手册 (1 页)

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APTGT600U170D4G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

D-4

功耗

2.9 kW

击穿电压(集电极-发射极)

1700 V

输入电容值(Cies)

51nF @25V

额定功率(Max)

2900 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

2900000 mW

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APTGT600U170D4G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Box

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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APTGT600U170D4G 符合标准

APTGT600U170D4G 数据手册

Microsemi（美高森美）

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Microsemi（美高森美）

6 页 / 0.58 MByte

APTGT600U170D4G 产品手册

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40 页 / 4.07 MByte

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