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SS8550DBU
0.062
SS8550DBU 数据手册 (6 页)
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SS8550DBU 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
200 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-92
针脚数
3 Position
功耗
1 W
最小电流放大倍数
40
直流电流增益(hFE)
160
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

SS8550DBU 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bag
材质
Silicon

SS8550DBU 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.23 MByte

SS8550 数据手册

CJ(长电科技)
二极管
SLKOR(韩国萨科微)
PNP,Vceo=-25V,Ic=-1.5A,hfe=200~350,丝印:Y2
Fairchild(飞兆/仙童)
在B类推挽操作便携式收音机2W输出放大器。 2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation.
Galaxy Semi-Conductor
ON Semiconductor(安森美)
Micro Commercial Components(美微科)
Samsung(三星)
NXP(恩智浦)
TI(德州仪器)
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