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AUIRF7341QTR
器件3D模型
1.134
AUIRF7341QTR 数据手册 (10 页)
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AUIRF7341QTR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.4 W
通道数
2 Channel
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.043 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
2.4 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
55 V
连续漏极电流(Ids)
5.1A
上升时间
7.7 ns
输入电容值(Ciss)
780pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2.4 W
下降时间
12.5 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2400 mW

AUIRF7341QTR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
宽度
4 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

AUIRF7341QTR 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.41 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
25 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
35 页 / 2.04 MByte
Infineon(英飞凌)
5 页 / 0.32 MByte

AUIRF7341 数据手册

Infineon(英飞凌)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF7341Q  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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