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AUIRF7769L2TR
6.805
AUIRF7769L2TR 数据手册 (11 页)
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AUIRF7769L2TR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
15 Pin
封装
DirectFET-L8
通道数
1 Channel
针脚数
15 Position
漏源极电阻
0.0028 Ω
极性
N-Channel
功耗
125 W
阈值电压
2.7 V
漏源极电压(Vds)
100 V
漏源击穿电压
100 V
连续漏极电流(Ids)
20A
上升时间
32 ns
输入电容值(Ciss)
11560pF @25V(Vds)
下降时间
41 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
3.3W (Ta), 125W (Tc)

AUIRF7769L2TR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
9.15 mm
宽度
7.1 mm
高度
0.74 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

AUIRF7769L2TR 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.43 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
35 页 / 2.04 MByte

AUIRF7769L2 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  AUIRF7769L2TR  晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 124 A, 100 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.7 V 新
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