AUIRS21814S

器件3D模型

￥ 1.16

AUIRS21814S 数据手册 - International Rectifier（国际整流器）

制造商:

International Rectifier（国际整流器）

分类:

FET驱动器

封装:

SOIC-14

描述:

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入两个独立的栅极驱动器匹配的传播延迟，用于两个通道输出相位，带输入无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

AUIRS21814S 数据手册 (22 页)

封装尺寸在16 页

典型应用电路图在1 页 8 页 9 页

原理图在7 页

AUIRS21814S 数据手册 (22 页)

或点击图片查看大图

AUIRS21814S 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

14 Pin

封装

SOIC-14

输出接口数

2 Output

零部件系列

AUIRS21814S

工作温度(Max)

125 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

10V ~ 20V

查看数据手册 >

AUIRS21814S 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

8.74 mm

宽度

3.99 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-40℃ ~ 125℃

查看数据手册 >

AUIRS21814S 符合标准

AUIRS21814S 数据手册

AUIRS21814S 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

22 页 / 0.84 MByte

AUIRS21814 数据手册

AUIRS21814STR 数据手册

Infineon（英飞凌）

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

AUIRS21814S 数据手册

Infineon（英飞凌）

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

AUIRS21814S 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，半桥，InfineonInfineon 系列高电压端和低电压端半桥 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器 IC栅极驱动电源范围从 6 V 到 20 V CMOS 施密特触发器输入两个独立的栅极驱动器匹配的传播延迟，用于两个通道输出相位，带输入无铅，符合 RoHS ### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)

AUIRS21814STR 数据手册

International Rectifier（国际整流器）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

最新型号

INA122P TXB0106PWR 5M240ZT100C5N BAV23S OPA2277U TS3A5018RSVR SN74LVC2G34DCKR

更多热门型号文档

热门型号

BOM选型工具

智能匹配型号

推荐替代方案

预警生产风险

计算采购成本

上传BOM文件

文件格式：*.xlsx，*.xls，*csv

Gerber文件查看器

15秒快速建模

预览PCB成品

支持40种板层

预检生产问题

上传Gerber文件

支持标准RS-274X文件，接受zip、rar、7z