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HGTP5N120BND 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-220-3

描述:

HGTP5N120BND 系列 1200 V 21 A 法兰安装 N沟道 IGBT - TO-220AB

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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HGTP5N120BND 数据手册 (8 页)

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HGTP5N120BND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.20 kV

额定电流

21.0 A

封装

TO-220-3

功耗

167000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

反向恢复时间

65 ns

额定功率(Max)

167 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

167000 mW

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HGTP5N120BND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

高度

9.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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HGTP5N120BND 符合标准

HGTP5N120BND 海关信息

HGTP5N120BND 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

8 页 / 0.19 MByte

HGTP5N120BND 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

10 页 / 0.28 MByte

HGTP5N120BND 产品设计图

Fairchild（飞兆/仙童）

1 页 / 0.09 MByte

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