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BAS116E6327HTSA1
0.029
BAS116E6327HTSA1 数据手册 (6 页)
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BAS116E6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
250 mA
封装
SOT-23-3
输出电流
≤250 mA
击穿电压
75.0 V
针脚数
3 Position
正向电压
1.25 V
极性
Standard
功耗
370 mW
反向恢复时间
1.5 µs
正向电流
250 mA
最大正向浪涌电流
4.5 A
正向电压(Max)
1.25 V
正向电流(Max)
250 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
工作结温
150℃ (Max)
耗散功率(Max)
370 mW

BAS116E6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
1 mm

BAS116E6327HTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.06 MByte
Infineon(英飞凌)
80 页 / 1 MByte
Infineon(英飞凌)
34 页 / 0.66 MByte

BAS116E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
InfineonInfineon 高速小信号开关二极管,电流额定值高达 1A,反向电压额定值高达 400V。 多数这些设备提供双路、三路和四路配置。### 二极管和整流器,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon 二极管 BAS116E6327HTSA1 低泄漏, Io=250mA, Vrev=80V, 1.5μs, 3引脚 SOT-23封装
Infineon(英飞凌)
二极管 - 通用,功率,开关 Silicon Low Leakage Diode
Infineon(英飞凌)
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