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BAS21LT3G
0.014
BAS21LT3G 数据手册 (6 页)
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BAS21LT3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
无卤素状态
Halogen Free
输出电流
≤200 mA
针脚数
3 Position
正向电压
1.25V @200mA
极性
Standard
功耗
385 mW
热阻
417℃/W (RθJA)
反向恢复时间
50 ns
正向电流
200 mA
最大正向浪涌电流
625 mA
正向电压(Max)
1.25 V
正向电流(Max)
200 mA
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BAS21LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BAS21LT3G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
39 页 / 4.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.31 MByte

BAS21LT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高压开关二极管 High Voltage Switching Diode
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BAS21LT3G  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mA
Leshan Radio(乐山无线电)
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