BAS316 数据手册 - NXP（恩智浦）

●反向电压VrReverse Voltage| 75V \---|--- 平均整流电流IoAverage Rectified Current| 250mA/0.25A 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1.25V 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time| 4NS 最大耗散功率PdPower Dissipation| 400mW/0.4W Description & Applications| • High-speed diode • Very smAll plAstic SmD pAckAge • High switching speed: mAx. 4 ns • Continuous reVerse VoltAge:mAx. 75 V • RepetitiVe peAk reVerse VoltAge:mAx. 85 V • RepetitiVe peAk forwArd current:mAx. 500 mA. 描述与应用| •高速二极管 •非常小的塑料SmD封装 •高开关速度：最大4 NS •连续反向电压：最大75 V •反向重复峰值电压：最大 85 V •重复峰值正向电流：最大500毫安。