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BAS70-04LT1
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BAS70-04LT1数据手册
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BAS7004LT1G, SBAS7004LT1G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol Min Max Unit
Reverse Breakdown Voltage (I
R
= 10 μA) V
(BR)R
70 V
Total Capacitance (V
R
= 0 V, f = 1.0 MHz) C
T
2.0 pF
Reverse Leakage (V
R
= 50 V)
(V
R
= 70 V)
I
R
0.1
10
μA
Forward Voltage (I
F
= 1.0 mA) V
F
410 mV
Forward Voltage (I
F
= 10 mA) V
F
750 mV
Forward Voltage (I
F
= 15 mA) V
F
1.0 V
100
0 0.1
V
F
, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
0.2 0.3 0.4
0.5
10
1.0
0.1
85°C
10
0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.0
0.1
0.01
0.001
5.0 10 15 20
50
1.4
0
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
1.2
0.4
0.2
0
C
T
, CAPACITANCE (pF)
5.0 10 15 50
I
F
, FORWARD CURRENT (mA)
Figure 1. Typical Forward Voltage Figure 2. Reverse Current versus Reverse
Voltage
Figure 3. Typical Capacitance
-40°C
25°C
T
A
= 150°C
25°C
I
R
, REVERSE CURRENT (μA)
1.0
-55°C
125°C
150°C
100
25
20
0.6
0.8
1.0
0.6 0.7
125°C
85°C
30 35 40 45
25
30 35 40
45
0.8 0.9

BAS70-04LT1 数据手册

Leshan Radio(乐山无线电)
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BAS7004 数据手册

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BAS70-04 编带
NXP(恩智浦)
NXP  BAS70-04  小信号肖特基二极管, 双系列, 70 V, 70 mA, 700 mV, 100 mA, 125 °C
Infineon(英飞凌)
BAS70-04 串联肖特基二极管 70V 70mA 1V SOT-23/SC-59 marking/标记 74 高速开关 高击穿电压
Diotec Semiconductor
SLKOR(韩国萨科微)
Nexperia(安世)
肖特基势垒二极管,高达 120mA,Nexperia高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
1A,Taiwan Semiconductor低功率损耗 低正向压降 高电流容量 ### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor
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表面贴装肖特基势垒二极管 Surface Mount Schottky Barrier Diodes
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小信号肖特基二极管 SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES
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