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BAT2402ELSE6327XTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）
制造商:
Infineon（英飞凌）
分类:
RF射频器件
封装:
PG-TSSLP-2-1
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
BAT2402ELSE6327XTSA1数据手册
Page:
of 7 Go
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2011-06-15
1
BAT24-02LS
Silicon Schottky Diode
• RF Schottky diode for mixer applications
up to 26 GHz
• Extremely low inductance combined with
ultra low device capacitance
• Very stable performance for all major parameters
• Package size: 0.62 x 0.31 x 0.31 mm³ only
• Pb-free (RoHS compliant) package
BAT24-02LS
21
Type Package Configuration L
S
(nH) Marking
BAT24-02LS TSSLP-2-1 single, leadless 0.2 ±0.05 S
Maximum Ratings at T
A
= 25°C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol Value Unit
Diode reverse voltage V
R
4 V
Forward current I
F
110 mA
Total power dissipation
T
S
≤ 73 °C
P
tot
100 mW
Junction temperature T
j
150 °C
Operating temperature range T
op
-55 ... 150
Storage temperature T
st
g
-55 ... 150
Thermal Resistance
Parameter
Symbol Value Unit
Junction - soldering point
1)
R
thJS
≤ 770
K/W
1
For calculation of R
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance
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