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BAT54SLT1
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BAT54SLT1数据手册
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BAT54SL
www.onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C unless otherwise noted) (EACH DIODE)
Characteristic
Symbol Min Typ Max Unit
Reverse Breakdown Voltage
(I
R
= 10 A)
V
(BR)R
30
V
Total Capacitance
(V
R
= 1.0 V, f = 1.0 MHz)
C
T
7.6 10
pF
Reverse Leakage
(V
R
= 25 V)
I
R
0.5 2.0
Adc
Forward Voltage
(I
F
= 0.1 mA)
(I
F
= 1.0 mA)
(I
F
= 10 mA)
(I
F
= 30 mA)
(I
F
= 100 mA)
V
F
0.22
0.29
0.35
0.41
0.52
0.24
0.32
0.40
0.50
0.80
V
Reverse Recovery Time
(I
F
= I
R
= 10 mAdc, I
R(REC)
= 1.0 mAdc, Figure 1)
t
rr
5.0
ns
Notes: 1. A 2.0 k variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F
) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so I
R(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. t
p
» t
rr
+10 V
2 k
820
0.1 F
DUT
V
R
100 H
0.1 F
50 OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50 INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
t
r
t
p
T
10%
90%
I
F
I
R
t
rr
T
i
R(REC)
= 1 mA
OUTPUT PULSE
(I
F
= I
R
= 10 mA; measure
d
at i
R(REC)
= 1 mA)
I
F
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit

BAT54SLT1 数据手册

Diodes(美台)
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BAT54 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BAT54.  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 600 mA, 150 °C
NXP(恩智浦)
NXP  BAT54  小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 320 mV, 600 mA, 125 °C
ON Semiconductor(安森美)
BAT54 肖特基二极管 30V 200mA/0.2A 800mV/0.8V SOT-23/SC-59 marking/标记 P4/JV3 低压降 快速开关
CJ(长电科技)
BAT54 KL1 编带
Diotec Semiconductor
Diodes(美台)
小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 320 mV, 600 mA, 125 °C
Vishay Semiconductor(威世)
BAT54 肖特基二极管 30V 200mA/0.2A 1V SOT-23/SC-59 marking/标记 KL1/L4 低压降 快速开关
Good-Ark Electronics(固锝)
先科ST(先科)
二极管与整流器
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
1A,Taiwan Semiconductor低功率损耗 低正向压降 高电流容量 ### 二极管和整流器,Taiwan Semiconductor
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