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BAV170QAZ
0.037
BAV170QAZ 数据手册 (5 页)
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BAV170QAZ 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
XDFN-3
正向电压
1.25V @150mA
功耗
540 mW
反向恢复时间
3 µs
正向电流
320 mA
正向电流(Max)
0.32 A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
150℃ (Max)
耗散功率(Max)
540 mW

BAV170QAZ 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

BAV170QAZ 数据手册

Nexperia(安世)
5 页 / 0.17 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte

BAV170 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP Semiconductors### 特点支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。
CJ(长电科技)
BAV170 编带
Infineon(英飞凌)
BAV170 双管共阴极 开关二极管 80V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 jx 低泄漏/高速开关
Diodes(美台)
DIODES INC.  BAV170  二极管 小信号, 双共阴极, 85 V, 215 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
Siemens Semiconductor(西门子)
Nexperia(安世)
Infineon(英飞凌)
InfineonInfineon 高速小信号开关二极管,电流额定值高达 1A,反向电压额定值高达 400V。 多数这些设备提供双路、三路和四路配置。### 二极管和整流器,Infineon
Micro Commercial Components(美微科)
ON Semiconductor(安森美)
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