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BCR 512 B6327
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BCR 512 B6327 数据手册 (6 页)
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BCR 512 B6327 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOT-23-3
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
最小电流放大倍数
60 @50mA, 5V
额定功率(Max)
330 mW

BCR 512 B6327 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

BCR 512 B6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.51 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte

BCR512 数据手册

Infineon(英飞凌)
BCR512 带阻NPN三极管 50V 500mA/0.5A 4.7k 4.7k SOT-23/SC-59 marking/标记 XF 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
Infineon(英飞凌)
InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
NPN Silicon Digital TRANSISTOR
Infineon(英飞凌)
Infineon BCR512E6327HTSA1 NPN 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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