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￥ 26.247
BAW56LT3 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）
制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
二极管阵列
封装:
SOT-23-3
描述:
双开关二极管共阳极 Dual Switching Diode Common Anode
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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BAW56LT3数据手册
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BAW56LT1G, SBAW56LT1G, BAW56LT3G, SBAW56LT3G
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C unless otherwise noted) (Each Diode)
Characteristic
Symbol Min Max Unit
Reverse Breakdown Voltage
(I
(BR)
= 100 mA)
V
(BR)
70 −
V
Reverse Voltage Leakage Current
(V
R
= 25 V, T
J
= 150°C)
(V
R
= 70 V)
(V
R
= 70 V, T
J
= 150°C)
I
R
−
−
−
30
2.5
50
mA
Diode Capacitance
(V
R
= 0 V, f = 1.0 MHz)
C
D
− 2.0
pF
Forward Voltage
(I
F
= 1.0 mA)
(I
F
= 10 mA)
(I
F
= 50 mA)
(I
F
= 150 mA)
V
F
−
−
−
−
715
855
1000
1250
mV
Reverse Recovery Time
(I
F
= I
R
= 10 mA, I
R(REC)
= 1.0 mA) (Figure 1) R
L
= 100 W
t
rr
− 6.0
ns
Notes: 1. A 2.0 kW variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F
) of 10 mA.
Notes: 2. Input pulse is adjusted so I
R(peak)
is equal to 10 mA.
Notes: 3. t
p
» t
rr
+10 V
2.0 k
820 W
0.1 mF
D.U.T.
V
R
100 mH
0.1 mF
50 W OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50 W INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
t
r
t
p
t
10%
90%
I
F
I
R
t
rr
t
i
R(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(I
F
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at i
R(REC)
= 1.0 mA)
I
F
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
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