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BB 639 E7904
器件3D模型
7.264
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BB 639 E7904数据手册
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2011-06-15
3
BB639C/BB659C...
Diode capacitance C
T
= ƒ (V
R
)
f = 1MHz
0 5 10 15 20
V
30
V
R
0
5
10
15
20
25
30
pF
40
C
T
Temperature coefficient of the diode
capacitance
T
Cc
= ƒ (V
R
)
10
0
10
1
10
2
V
V
R
-5
10
-4
10
-3
10
1/°C
TC
C
Reverse current I
R
= ƒ (T
A
)
V
R
= 28V
-30 -10 10 30 50 70
°C
100
T
A
0
10
1
10
2
10
3
10
pA
I
R
Reverse current I
R
= ƒ(V
R
)
T
A
= Parameter
10
0
10
1
10
2
V
V
R
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
pA
I
R
25°C
85°C

BB 639 E7904 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.87 MByte

BB639 数据手册

Infineon(英飞凌)
硅变容二极管 Silicon Variable Capacitance Diodes
Siemens Semiconductor(西门子)
BB639 变容二极管 30V 29.75pF 10.4 SOD-323/SC-76/0805 marking/标记 S 超高频调谐/大容量比率/低串联电阻
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
Silicon Labs(芯科)
Infineon(英飞凌)
Infineon BB639E7904HTSA1 30V 36pF 变容管, 最小调谐比: 13.5 VHF, 2引脚 SOD-323封装, 使用于调谐器
Infineon(英飞凌)
Infineon 可变电容二极管,通常称为变容、变容管或调谐二极管,在许多需要电容随电压变化改变的许多应用中非常有用。 它们适用于广泛应用,包括:射频调谐、电压控制振荡器和滤波器、频率合成器和乘法器。 二极管和整流器,Infineon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BB639CE7904HTSA1  可变电容二极管, 2.75 pF, 20 mA, 30 V, 150 °C, SOD-323, 2引脚
Infineon(英飞凌)
BB639C 变容二极管 30V 30.2pF 11.1 SOT-23/SC-59 marking/标记 S 超高频调谐/大容量比率/低串联电阻
Infineon(英飞凌)
变容二极管 Varactor Diode 30 V 20mA
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