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BC327-25ZL1
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BC327-25ZL1 数据手册 (5 页)
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BC327-25ZL1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
-45.0 V
额定电流
-800 mA
封装
TO-226-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.8A
最小电流放大倍数
160 @100mA, 1V
额定功率(Max)
625 mW

BC327-25ZL1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC327-25ZL1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte

BC32725 数据手册

Diotec Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC327-25  单晶体管 双极, PNP, 45 V, 260 MHz, 625 mW, -800 mA, 160 hFE
NXP(恩智浦)
PNP通用晶体管 PNP general purpose transistor
Fairchild(飞兆/仙童)
ITT Corporation(ITT电子)
Motorola(摩托罗拉)
Central Semiconductor
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 45 Vceo 500mA 625mW Trans
ON Semiconductor(安森美)
ST Microelectronics(意法半导体)
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