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BC337G
0.031
BC337G 数据手册 (5 页)
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BC337G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
210 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
800 mA
封装
TO-92-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
625 mW
增益频宽积
210 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.8A
最小电流放大倍数
100 @100mA, 1V
额定功率(Max)
625 mW
直流电流增益(hFE)
630
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

BC337G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
材质
Silicon
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC337G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.16 MByte

BC337 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SILICON
CJ(长电科技)
BC337-40档位(250-630) 袋装
Multicomp
MULTICOMP  BC337  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 400 hFE
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Central Semiconductor
NXP(恩智浦)
45 V , 500毫安NPN通用晶体管 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
开关和放大器应用 SWITCHING AND AMPLIFIER APPLICATIONS
UTC(友顺)
NPN外延硅晶体管
Siemens Semiconductor(西门子)
Philips(飞利浦)
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