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BC556B
0.05
BC556B 数据手册 (7 页)
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BC556B 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-65.0 V
额定电流
-100 mA
封装
TO-92-3
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
最小电流放大倍数
180 @2mA, 5V
额定功率(Max)
625 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
625 mW

BC556B 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC556B 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte

BC556 数据手册

CJ(长电科技)
BC556 B档180-460 袋装
ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管( PNP硅) Amplifier Transistors(PNP Silicon)
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NXP(恩智浦)
PNP通用晶体管 PNP general purpose transistors
UTC(友顺)
NPN外延硅晶体管
Micro Electronics
Micro Commercial Components(美微科)
Rectron Semiconductor
Continental Device
Diodes(美台)
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