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BC556BTA
0.037
BC556BTA 数据手册 (10 页)
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BC556BTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
150 MHz
引脚数
3 Pin
封装
TO-226-3
供电电流
3 mA
针脚数
3 Position
功耗
0.5 W
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
最小电流放大倍数
200 @2mA, 5V
额定功率(Max)
500 mW
直流电流增益(hFE)
200
存取时间(Max)
900 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
500 mW

BC556BTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Box
材质
Silicon
长度
4.58 mm
宽度
3.86 mm
高度
4.58 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BC556BTA 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.32 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.34 MByte

BC556 数据手册

CJ(长电科技)
BC556 B档180-460 袋装
ON Semiconductor(安森美)
放大器晶体管( PNP硅) Amplifier Transistors(PNP Silicon)
Fairchild(飞兆/仙童)
PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
NXP(恩智浦)
PNP通用晶体管 PNP general purpose transistors
UTC(友顺)
NPN外延硅晶体管
Micro Electronics
Micro Commercial Components(美微科)
Rectron Semiconductor
Continental Device
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