￥ 0.518

BC639RL1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-226-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR BC639RL1G 单晶体管双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BC639RL1G 数据手册 (4 页)

封装尺寸在4 页

BC639RL1G 数据手册 (4 页)

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BC639RL1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

200 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

80.0 V

额定电流

1.00 A

封装

TO-226-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

800 mW

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

40 @150mA, 2V

额定功率(Max)

625 mW

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625 mW

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BC639RL1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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BC639RL1G 符合标准

BC639RL1G 海关信息

BC639RL1G 概述

BC639RL1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

4 页 / 0.09 MByte

BC639RL1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.19 MByte

BC639RL1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.07 MByte

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