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VND3NV04
1.198
VND3NV04 数据手册 (26 页)
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VND3NV04 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-252-3
输出接口数
1 Output
输出电流
7 A
供电电流
0.1 mA
漏源极电阻
120 mΩ
极性
N-Channel
功耗
35 W
漏源击穿电压
40.0 V
连续漏极电流(Ids)
3.50 A
输出电流(Max)
3.5 A
输入数
1 Input
耗散功率(Max)
35000 mW

VND3NV04 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

VND3NV04 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
26 页 / 0.34 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
26 页 / 0.47 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
37 页 / 0.42 MByte

VND3 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
VND3NV04 单通道 低边 自保护 6 V 7 A 120 mOhm 功率MOSFET - TO-252-3
ST Microelectronics(意法半导体)
OMNIFET II完全autoprotected功率MOSFET OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
“ OMNIFET II ” :全AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
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