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BC847BTT1G
器件3D模型
0.015
BC847BTT1G 数据手册 (6 页)
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BC847BTT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
100 mA
封装
SC-75-3
无卤素状态
Halogen Free
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
200 mW
增益频宽积
100 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
200
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
450
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-50 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BC847BTT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
1.8 mm
宽度
0.8 mm
高度
0.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC847BTT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

BC847BTT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC847BTT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 200 mW, 100 mA, 450 hFE
Leshan Radio(乐山无线电)
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