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IRL6342TRPBF
器件3D模型
0.168
IRL6342TRPBF 数据手册 (8 页)
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IRL6342TRPBF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
额定功率
2.5 W
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.012 Ω
极性
N-Channel
功耗
2.5 W
阈值电压
1.1 V
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
9.9A
上升时间
12 ns
输入电容值(Ciss)
1025pF @25V(Vds)
下降时间
14 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2.5W (Ta)

IRL6342TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
5 mm
宽度
4 mm
高度
1.5 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

IRL6342TRPBF 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.26 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
27 页 / 0.31 MByte
Infineon(英飞凌)
2 页 / 0.17 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.11 MByte

IRL6342 数据手册

Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL6342TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.9 A, 30 V, 12 mohm, 4.5 V, 1.1 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  IRL6342PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.9 A, 30 V, 12 mohm, 4.5 V, 1.1 V
International Rectifier(国际整流器)
International Rectifier(国际整流器)
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