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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Nexperia(安世) > BC848B,215 Datasheet 文档
BC848B,215
0.006
BC848B,215 数据手册 (12 页)
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BC848B,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
250 mW
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
最小电流放大倍数
200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数
200 @2mA, 5V
额定功率(Max)
250 mW
直流电流增益(hFE)
200
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

BC848B,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BC848B,215 数据手册

Nexperia(安世)
12 页 / 0.12 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

BC848 数据手册

NXP(恩智浦)
bc848 NPN三极管 30V 100mA/0.1A 100MHz 200~450 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 1M 通用开关和放大
UTC(友顺)
Continental Device
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
KEC(Korea Electronics)(KEC株式会社)
Motorola(摩托罗拉)
Siemens Semiconductor(西门子)
Toshiba(东芝)
Yageo(国巨)
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