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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > BC848CDW1T1G Datasheet 文档
BC848CDW1T1G
器件3D模型
0.03
BC848CDW1T1G 数据手册 (11 页)
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BC848CDW1T1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
6 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
100 mA
封装
SC-70-6
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
380 mW
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
420 @2mA, 5V
额定功率(Max)
380 mW
直流电流增益(hFE)
520
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-50 ℃
耗散功率(Max)
380 mW

BC848CDW1T1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
高度
1.1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC848CDW1T1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
36 页 / 0.15 MByte

BC848CDW1T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
NPN 晶体管,最大 1A,On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
Leshan Radio(乐山无线电)
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