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BC849BLT1G
0.028
BC849BLT1G 数据手册 (13 页)
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BC849BLT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
30.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
30 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
200 @2mA, 5V
额定功率(Max)
300 mW
直流电流增益(hFE)
290
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

BC849BLT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
宽度
1.3 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC849BLT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
13 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte

BC849BLT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC849BLT1G.  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 290 hFE
Leshan Radio(乐山无线电)
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