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BC850BLT1
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BC850BLT1 数据手册 (6 页)
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BC850BLT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
45.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
200 @2mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

BC850BLT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC850BLT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
31 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.09 MByte

BC850 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Rectron Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC850CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 800 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia BC850C,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 200 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia BC850CW,115 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
NXP  BC850C,215  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE
Infineon(英飞凌)
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