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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Nexperia(安世) > BC850C,215 Datasheet 文档
BC850C,215
0.012
BC850C,215 数据手册 (9 页)
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BC850C,215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
100 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
0.25 W
针脚数
3 Position
功耗
250 mW
击穿电压(集电极-发射极)
45 V
最小电流放大倍数
420 @2mA, 5V
额定功率(Max)
250 mW
直流电流增益(hFE)
420
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
250 mW

BC850C,215 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3 mm
宽度
1.4 mm
高度
1 mm
工作温度
150℃ (TJ)

BC850C,215 数据手册

Nexperia(安世)
9 页 / 0.34 MByte
Nexperia(安世)
206 页 / 0.21 MByte
Nexperia(安世)
72 页 / 3.63 MByte

BC850 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
NPN外延硅晶体管 NPN Epitaxial Silicon Transistor
Rectron Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC850CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 800 hFE
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  BC850BLT1G  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 200 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia BC850C,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
Nexperia(安世)
单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 200 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia BC850CW,115 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=45 V, HFE:420, 100 MHz, 3引脚 UMT封装
NXP(恩智浦)
NXP  BC850C,215  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 420 hFE
Infineon(英飞凌)
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