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BC856BLT1
0.01
BC856BLT1 数据手册 (7 页)
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BC856BLT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
-65.0 V
额定电流
-100 mA
封装
SOT-23-3
极性
Dual P-Channel
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
65 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
220 @2mA, 5V
额定功率(Max)
300 mW

BC856BLT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

BC856BLT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.26 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.1 MByte

BC856 数据手册

Multicomp
MULTICOMP  BC856  单晶体管 双极, PNP, -65 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 125 hFE
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors
NXP(恩智浦)
BC856 PNP三极管 -80V -100mA/-0.1A 100MHz 125~475 -250mV/-0.25V SOT-23/SC-59 marking/标记 3D 开关/放大
UTC(友顺)
PNP硅晶体管
Philips(飞利浦)
Fairchild(飞兆/仙童)
开关和放大器应用 Switching and Amplifier Applications
Vishay Semiconductor(威世)
小信号晶体管( PNP ) Small Signal Transistors (PNP)
Continental Device
Nexperia(安世)
小信号 PNP 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
ON Semiconductor(安森美)
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