器件3D模型

￥ 0.046

IRLML2803TRPBF 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

INFINEON IRLML2803TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, Micro-3, 30V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IRLML2803TRPBF 数据手册 (9 页)

封装尺寸在7 页

IRLML2803TRPBF 数据手册 (9 页)

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IRLML2803TRPBF 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

额定功率

0.4 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.25 Ω

极性

N-Channel

功耗

540 mW

阈值电压

1 V

输入电容

85 pF

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

1.2A

上升时间

4 ns

输入电容值(Ciss)

85pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

540 mW

下降时间

1.7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

540mW (Ta)

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IRLML2803TRPBF 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

1.02 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IRLML2803TRPBF 符合标准

IRLML2803TRPBF 概述

IRLML2803TRPBF 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.24 MByte

IRLML2803TRPBF 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IRLML2803TRPBF 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

27 页 / 0.31 MByte

IRLML2803TRPBF 产品设计图

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.17 MByte

IRLML2803TRPBF 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IRLML2803TRPBF 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.14 MByte

IRLML2803TRPBF 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.13 MByte

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功率MOSFET （ VDSS = 30V ， RDS（ON） =仅为0.25mΩ ） Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm)

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N 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

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