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BCP56T1
0.081
BCP56T1 数据手册 (5 页)
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BCP56T1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
130 MHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
1.00 A
封装
TO-261-4
极性
N-Channel
功耗
1.5 W
集电极击穿电压
100 V (min)
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
40 @150mA, 2V
额定功率(Max)
1.5 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
1500 mW

BCP56T1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

BCP56T1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.06 MByte
ON Semiconductor(安森美)
16 页 / 1.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.07 MByte

BCP56 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
NPN 通用放大器
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
NXP(恩智浦)
BCP56
Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors
Nexperia(安世)
通用 NPN 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
Philips(飞利浦)
Continental Device
ST Microelectronics(意法半导体)
中功率放大器 MEDIUM POWER AMPLIFIER
Yageo(国巨)
Siemens Semiconductor(西门子)
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