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BCR135E6327HTSA1
0.037
BCR135E6327HTSA1 数据手册 (11 页)
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BCR135E6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
0.2 W
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
100mA
最小电流放大倍数
70 @5mA, 5V
额定功率(Max)
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
增益带宽
150 MHz
耗散功率(Max)
200 mW

BCR135E6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.9 mm

BCR135E6327HTSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
11 页 / 0.84 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.36 MByte
Infineon(英飞凌)
34 页 / 0.2 MByte

BCR135E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
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