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BCR555E6433
0.06
BCR555E6433 数据手册 (6 页)
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BCR555E6433 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
500mA
最小电流放大倍数
70
工作温度(Max)
150 ℃
耗散功率(Max)
330 mW

BCR555E6433 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.9 mm

BCR555E6433 数据手册

Infineon(英飞凌)
6 页 / 0.51 MByte

BCR555 数据手册

Infineon(英飞凌)
BCR555 带阻尼PNP三极管 -50V -50mA 70 0.33W/330mW SOT-23/SC-59 标记XD 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
Infineon BCR555E6433HTMA1 PNP 数字晶体管, 500 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.22, 3引脚 SOT-23封装
Infineon(英飞凌)
InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
Infineon(英飞凌)
InfineonInfineon 的一系列双极性结点晶体,配有集成电阻器,允许直接从数字来源驱动,无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。### 数字晶体管,Infineon配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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