BCV29 数据手册 - NXP（恩智浦）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-EmitterVoltage(VCEO)| 30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 220MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 20000 @ 5V,0.1A 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| 1V 耗散功率PcPower Dissipation| 1.3W Description & Applications| • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 60 V) • High DC current gain (min. 20000). • Preamplifier input applications. • NPN small-signal Darlington transistor in a surface mount SOT89 plastic package. • PNP complements: BCV28。 描述与应用| •高电流（最大500毫安） •低电压（最大60 V） •高直流电流增益（最小值20000）。 •前置放大器输入的应用。 •NPN小信号达林顿晶体管在一个表面贴装SOT89塑料包装。 •PNP补充：BCV28。