BCV49,115

￥ 0.176

BCV49,115 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-89-3

描述:

NXP BCV49,115 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 60 V, 220 MHz, 1.3 W, 500 mA, 10000 hFE

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BCV49,115 数据手册 (1 页)

BCV49,115 数据手册 (1 页)

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BCV49,115 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-89-3

针脚数

3 Position

极性

NPN

功耗

1.3 W

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

集电极最大允许电流

0.5A

最小电流放大倍数

10000 @100mA, 5V

额定功率(Max)

1.3 W

直流电流增益(hFE)

10000

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

增益带宽

220 MHz

耗散功率(Max)

1300 mW

查看数据手册 >

BCV49,115 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.6 mm

宽度

2.6 mm

高度

1.6 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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BCV49,115 符合标准

BCV49,115 数据手册

BCV49,115 数据手册

NXP（恩智浦）

1 页 / 0.01 MByte

BCV49,115 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

206 页 / 0.21 MByte

BCV49,115 产品修订记录

NXP（恩智浦）

72 页 / 3.63 MByte

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