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BCV62AE6327HTSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-253-4

描述:

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BCV62AE6327HTSA1 数据手册 (7 页)

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BCV62AE6327HTSA1 数据手册 (7 页)

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BCV62AE6327HTSA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

250 MHz

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-100 mA

封装

TO-253-4

极性

PNP

功耗

300 mW

击穿电压(集电极-发射极)

30 V

集电极最大允许电流

0.1A

最小电流放大倍数

125 @2mA, 5V

最大电流放大倍数

220

额定功率(Max)

300 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

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BCV62AE6327HTSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

2.9 mm

宽度

1.3 mm

高度

1 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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BCV62AE6327HTSA1 符合标准

BCV62AE6327HTSA1 概述

BCV62AE6327HTSA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.51 MByte

BCV62AE6327HTSA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

3 页 / 0.36 MByte

BCV62AE6327HTSA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

34 页 / 0.2 MByte

BCV62AE6327HTSA1 其他参考文件

Infineon（英飞凌）

1 页 / 0.14 MByte

BCV62AE6327 数据手册

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BCV 62A E6327 数据手册

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Infineon使用通用基座连接匹配双 NPN 和 PNP 晶体管，可用作电流反射镜对。良好的热耦合和 VBE 配接高电流增益低集电极-发射极饱和电压 ### 双极晶体管，Infineon

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